Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
APT6017B2LLG
MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-247-3 Variant
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APT6017B2LLG
APT6017B2LLG Hakkında
APT6017B2LLG, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj ve 35A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 170mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan ve 500W güç dağılımına sahip APT6017B2LLG, endüstriyel sürücüler, güç kaynakları, şarj cihazları ve enerji dönüşüm uygulamalarında kullanılır. Maksimum ±30V gate voltajı ve 100nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliğini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 Variant |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 500W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 17.5A, 10V |
| Supplier Device Package | T-MAX™ [B2] |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok