Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
APT5SM170B
SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APT5SM170B
APT5SM170B Hakkında
APT5SM170B, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı N-Channel güç transistörüdür. 1700V yüksek voltaj sınıfında çalışan bu MOSFET, maksimum 5A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan komponent, 1.25Ohm maksimum gate kapalı direnç değeri ile düşük kayıplar sağlar. 65W güç dağıtma kapasitesi sayesinde anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri ve yüksek voltaj regülatörlerinde kullanılabilir. -55°C ile 175°C arasında çalışan SiC transistör, hızlı anahtarlama hızı ve düşük kapasitans değerleri ile verimli sistem tasarımına olanak tanır. Şu anda üretime alınmamakta olup, yedek parça ve restorasyonu uygulamalarında tercih edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 249 pF @ 1000 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.25Ohm @ 2.5A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.2V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok