Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

APT58M80J

MOSFET N-CH 800V 60A SOT227

Paket/Kılıf
SOT-227-4
Seri / Aile Numarası
APT58M80J

APT58M80J Hakkında

APT58M80J, Microchip Technology tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistördür. SOT-227 (miniBLOC) paketinde sunulan bu bileşen, 60A sürekli dren akımı kapasitesi ve maksimum 110mΩ RDS(on) değeri ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde çalışan transistör, 570nC gate charge ve 17550pF giriş kapasitansına sahiptir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında stabil işlem yapabilen APT58M80J, endüstriyel konvertörler, güç kaynakları, motor sürücüleri ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 960W maksimum güç dağılımı kapasitesi, bu bileşeni ağır yük uygulamalarına uygun hale getirir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 570 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 17550 pF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 960W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 43A, 10V
Supplier Device Package SOT-227
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok