Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
APT5010B2FLLG
MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-247-3 Variant
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APT5010B2FLLG
APT5010B2FLLG Hakkında
APT5010B2FLLG, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 46A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya tasarlanmıştır. TO-247-3 paketlemesinde sunulan bu transistör, 10V gate sürüş geriliminde 100mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. İşletme sıcaklık aralığı -55°C ile 150°C arasındadır ve maksimum 520W güç disipasyonu kapasitesine sunmaktadır. Endüstriyel motor kontrolü, AC-DC dönüştürücüler, anahtarlama güç kaynakları ve UPS sistemleri gibi yüksek güç anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 46A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4360 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 Variant |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 520W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 23A, 10V |
| Supplier Device Package | T-MAX™ [B2] |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok