Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
APT40SM120S
SICFET N-CH 1200V 41A D3PAK
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-268-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APT40SM120S
APT40SM120S Hakkında
APT40SM120S, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilimi ve 41A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. D³Pak (TO-268) paketinde sunulan transistör, 100mOhm maksimum on-direnç değeri ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile +175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığına ve 273W maksimum güç yayılımı kapasitesine sahiptir. SiC teknolojisi sayesinde anahtarlama hızı yüksek olup, endüstriyel güç dönüştürme, enerji yönetimi ve elektrik traksiyon sistemlerinde uygulanır. Komponentin Part Status değeri Obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 41A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2560 pF @ 1000 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 273W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 20A, 20V |
| Supplier Device Package | D3PAK |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA (Typ) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok