Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
APT35SM70B
SICFET N-CH 700V 35A TO247-3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APT35SM70B
APT35SM70B Hakkında
APT35SM70B, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiCFET) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET transistördür. 700V Drain-Source gerilim kapasitesi ve 35A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 145mΩ maksimum Ron değeri ile verimli güç dönüştürme sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel güç kaynakları, motor sürücüleri, fotovoltaik invertörleri ve UPS sistemlerinde yaygın olarak uygulanmaktadır. 2.5V gate threshold voltajı ile TTL/CMOS mantık seviyeleriyle uyumludur. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1035 pF @ 700 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 176W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145mOhm @ 10A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok