Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
APT34N80B2C3G
MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-247-3 Variant
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APT34N80B2C3G
APT34N80B2C3G Hakkında
APT34N80B2C3G, Microchip Technology tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistörüdür. 34A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paket tipi ile montajlanır. 145mOhm maksimum RDS(on) değeri düşük enerji kayıpları sağlar. Güç dönüştürme devreleri, invertör, anahtarlama kaynakları ve endüstriyel kontrol uygulamalarında tercih edilir. -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığında 417W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. ±20V maksimum gate voltajı ile kontrol devrelerine entegrasyonu kolaydır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 355 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4510 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 Variant |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 417W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145mOhm @ 22A, 10V |
| Supplier Device Package | T-MAX™ [B2] |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok