Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
APT29F100B2
MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-247-3 Variant
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APT29F100B2
APT29F100B2 Hakkında
APT29F100B2, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 1000V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol, enerji dağıtım sistemleri ve indüktif yüklerin anahtarlanması gibi uygulamalarda tercih edilir. 10V gate sürme geriliminde 440mΩ maksimum on-direnci ve 260nC gate yükü özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 1040W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 Variant |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1040W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 440mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | T-MAX™ [B2] |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok