Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

APT28M120L

MOSFET N-CH 1200V 29A TO264

Paket/Kılıf
TO-264-3
Seri / Aile Numarası
APT28M120L

APT28M120L Hakkında

APT28M120L, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilim dayanımı ve 29A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-264-3 paketinde sunulan bu bileşen, açık kapı gerilimi 10V'da maksimum 530mOhm'luk on-state direnç değerine sahiptir. Gate yükü 300nC olup input kapasitansi 9670pF'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanır ve maksimum 1135W güç saçabilir. Endüstriyel güç dönüştürme, IGBT sürücü uygulamaları, UPS sistemleri ve yüksek gerilim anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9670 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 530mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package TO-264 [L]
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok