Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
APT28M120B2
MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-247-3 Variant
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APT28M120B2
APT28M120B2 Hakkında
APT28M120B2, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilimi ve 29A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu FET, 560mOhm maksimum açık durum direnci (Rds On) ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 1135W güç dağıtma kapasitesi sayesinde endüstriyel konvertörler, güç kaynakları, motor kontrol ve enerji yönetim sistemlerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9670 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 Variant |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1135W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560mOhm @ 14A, 10V |
| Supplier Device Package | T-MAX™ [B2] |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok