Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
APT25SM120B
SICFET N-CH 1200V 25A TO247
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APT25SM120B
APT25SM120B Hakkında
APT25SM120B, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı bir N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilim derecelemesi ve 25A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürücüleri, inverterler, şarj cihazları ve diğer anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 175mOhm maksimum on-state direnç, düşük kapasitif yükleme (72nC gate charge) ve -55°C ile 175°C arasında geniş işletim sıcaklık aralığı sunmaktadır. SiC teknolojisi sayesinde yüksek verimlilik ve daha az ısı üretimi sağlar. Bileşen tasarımını tamamlamadan önce detaylı datasheet ve uygulama notlarına başvurulması önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 20 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 175W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 10A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok