Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
APT20N60SC3G
MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-268-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APT20N60SC3G
APT20N60SC3G Hakkında
APT20N60SC3G, Microchip Technology tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. D3PAK (TO-268-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponentin sürekli dren akımı 20.7A ve maksimum drain-source voltajı 600V'dir. On-state drain resistance (RDS(on)) maksimum 190mOhm değerinde olup, 10V gate voltajında 114nC gate yükü gerektirmektedir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına ve ±20V maksimum gate voltajına sahiptir. Güç ayrıştırması 208W kapasitesiyle endüstriyel anahtarlama, güç yönetimi, motor kontrol ve converter uygulamalarında kullanım için tasarlanmıştır. Giriş kapasitansi 2440pF (25V) seviyesinde belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 114 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2440 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 13.1A, 10V |
| Supplier Device Package | D3PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok