Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

APT18M80S

MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
APT18M80S

APT18M80S Hakkında

APT18M80S, Microchip Technology tarafından üretilen N-kanallı MOSFET transistörüdür. 800V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 25°C'de 19A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç elektronik devrelerinde anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerini yerine getirir. TO-263-3 (D²Pak) SMD paket yapısıyla PCB'ye yüzey montajı için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, 530mOhm maksimum Rds(on) değeriyle düşük iletim kayıpları sağlar. İnverter devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücülerinde ve endüstriyel güç uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3760 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 530mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package D3PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok