Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

APT18M80B

MOSFET N-CH 800V 19A TO247

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
APT18M80B

APT18M80B Hakkında

APT18M80B, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source voltaj ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 25°C'de 19A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç dönüştürme, sürücü devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yer alabilir. TO-247-3 paket tipi ile through-hole montajı destekler. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. 530mOhm (10V, 9A) maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybı minimize edilir. 500W maksimum güç harcaması özelliği endüstriyel invertör, DC-DC konvertör ve motor kontrol uygulamalarında kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3760 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 530mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package TO-247 [B]
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok