Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

APT17N80BC3G

MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
APT17N80BC3G

APT17N80BC3G Hakkında

APT17N80BC3G, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 17A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 290mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç iletimini sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, endüstriyel güç kontrol devreleri, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. Maksimum 208W güç dağıtabilme kapasitesi ve düşük gate charge değeri (90nC) ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Lojistik uyarı: Bu ürün üretimi durdurulmuştur (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2250 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package TO-247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok