Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

APT13F120B

MOSFET N-CH 1200V 14A TO247

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
APT13F120B

APT13F120B Hakkında

APT13F120B, Microchip Technology tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET'dir. 1200V drain-source gerilim kapasitesi ve 14A sürekli drain akımı ile tasarlanmış bu bileşen, güç elektroniği uygulamalarında anahtarlama görevlerini gerçekleştirir. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, 625W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. Düşük on-state direnci (Rds On: 1.4Ω @ 7A, 10V) ve hızlı anahtarlama karakteristiği ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu bileşen, endüstriyel sürücü devreleri, SMPS (switched-mode power supply), kaynak teknolojisi ve yüksek voltaj dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. ±30V gate gerilim toleransı ve 145nC gate charge değeri kontrollü anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4765 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 625W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 7A, 10V
Supplier Device Package TO-247 [B]
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok