Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
APT12M80B
MOSFET N-CH 800V 13A TO247
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APT12M80B
APT12M80B Hakkında
APT12M80B, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 13A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar ve amplifikasyon işlevleri görmektedir. 10V gate sürü geriliminde 800mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bileşen, endüstriyel sürücü devreler, AC/DC güç kaynakları, UPS sistemleri ve motorlu cihazlarda yer almaktadır. Gate yükü 80nC ve giriş kapasitansi 2470pF olarak belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2470 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 335W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 [B] |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok