Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

APT11N80KC3G

MOSFET N-CH 800V 11A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G Hakkında

APT11N80KC3G, Microchip Technology tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220 paketinde sunulan bu bileşen, 11A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak için tasarlanmıştır. 450mOhm (10V, 7.1A'de) maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları, SMPS (Switch Mode Power Supply) devreleri, motor sürücüleri ve endüstriyel güç dönüştürme sistemlerinde tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve 156W maksimum güç dağılımı kapasitesi, zorlu çevre koşullarında güvenilir operasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1585 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 7.1A, 10V
Supplier Device Package TO-220 [K]
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 680µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok