Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
APT11N80BC3G
MOSFET N-CH 800V 11A TO247
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APT11N80BC3G
APT11N80BC3G Hakkında
APT11N80BC3G, Microchip Technology tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 450mΩ maksimum on-direnci ile verimlı güç yönetimi sağlar. Gate charge değeri 60nC olup, hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 156W güç tüketebilir. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, enerji dönüştürücüler ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1585 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 7.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 [B] |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 680µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok