Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
APT11F80S
MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-268-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APT11F80S
APT11F80S Hakkında
APT11F80S, Microchip Technology tarafından üretilen 800V/12A N-Channel MOSFET transistördür. D3PAK (TO-268-3) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10V gate sürücü voltajında 900mOhm (maksimum) on-state direnç değerine sahip olan APT11F80S, 337W güç yayılımı kapasitesiyle çalışır. Gate eşik voltajı 5V (@1mA) seviyesinde olup, giriş kapasitansi 2471pF (@25V) ve toplam gate yükü 80nC (@10V) parametreleriyle tanımlanır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında aktiftir. Güç kaynakları, motor sürücüler ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. ±30V maksimum gate-source voltajı ile çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2471 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 337W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | D3PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok