Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
APT11F80B
MOSFET N-CH 800V 12A TO247
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APT11F80B
APT11F80B Hakkında
APT11F80B, Microchip Technology tarafından üretilen 800V yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistördür. 12A sürekli dren akımı kapasitesi ve 900mOhm maksimum Rds(on) değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-247-3 paketindeki bu transistör, endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları, invertörler ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak yer almaktadır. ±30V gate gerilim toleransı ve -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, çeşitli ortamlar için uygunluğunu sağlamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2471 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 337W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 [B] |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok