Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
APT106N60B2C6
MOSFET N-CH 600V 106A T-MAX
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-247-3 Variant
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APT106N60B2C
APT106N60B2C6 Hakkında
APT106N60B2C6, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilimi (Vdss) ile 106A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde 35mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç kaynağı devreleri, inverterler, motor kontrol sistemleri ve endüstriyel anahtarlamalar gibi uygulamalarda tercih edilir. Gate charge değeri 308nC@10V olarak belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 106A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 308 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8390 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 Variant |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 833W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 53A, 10V |
| Supplier Device Package | T-MAX™ [B2] |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3.4mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok