Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

APT100MC120JCU2

SICFET N-CH 1200V 143A SOT227

Paket/Kılıf
SOT-227-4
Seri / Aile Numarası
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2 Hakkında

APT100MC120JCU2, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiCFET) tabanlı N-channel MOSFET transistördür. 1200V dren-kaynak voltaj (Vdss) ile 143A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Düşük iletim direnci (17mOhm @ 100A, 20V) ile güç uygulamalarında verimli çalışır. SOT-227-4 miniBLOC paketinde sunulan bu bileşen, -40°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Maksimum 600W güç disipasyonu özelliğiyle güç dönüştürme devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve yüksek voltaj motorların kontrolünde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 143A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 360 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5960 pF @ 1000 V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 100A, 20V
Supplier Device Package SOT-227
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max) +25V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 2mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok