Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
APT1002RBNG
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APT1002
APT1002RBNG Hakkında
APT1002RBNG, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 1000V drain-source gerilim kapasitesi ve 8A sürekli akım kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü ve endüstriyel güç yönetimi sistemlerinde yer alır. 10V gate sürüş geriliminde 1.6Ω RDS(on) değerine sahiptir. Maksimum 240W güç tüketimi ile termal yönetimi gerektiren uygulamalarda kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmektedir. Ürün şu anda üretimi durdurulmuş durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 240W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6Ohm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok