Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
APT1001RBN
MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APT1001RBN
APT1001RBN Hakkında
APT1001RBN, Microchip Technology tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 1000V drain-source voltajına dayanıklı olan bu bileşen, 11A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan APT1001RBN, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar elemanı olarak görev yapır. 310W maksimum güç tüketimi ile güç elektronikleri, motor kontrol devrelerinde ve anahtarlama güç kaynakları (SMPS) tasarımlarında kullanılır. 1Ω on-state resistance (Rds On) değeri ile enerji kaybını minimize eder. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel ve ticari uygulamalar için tasarlanmıştır. Günümüzde obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2950 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 310W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok