Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOY2610E

MOSFET N-CHANNEL 60V 19A TO251B

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
AOY2610E

AOY2610E Hakkında

AOY2610E, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 19A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, düşük rds(on) değeri (9.5mOhm @ 20A, 10V) sayesinde ısı yönetimi avantajı sağlar. TO-251 paketindeki bu transistör, güç dönüştürme devreleri, motor kontrolü, LED sürücüler, enerji yönetimi uygulamaları ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için uygun kılmaktadır. 59.5W maksimum güç tüketimine sahip bu transistör, yüksek hızlı anahtarlama performansı ve düşük kapı yükü (13nC) ile karakterizedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 30 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 59.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-251B
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok