Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOW4S60

MOSFET N-CH 600V 4A TO262

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
AOW4S60

AOW4S60 Hakkında

AOW4S60, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilim (Vdss) ve 4A sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahiptir. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi görür. 900mOhm maksimum on-resistance değeri ile enerji verimliliğini destekler. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç dönüştürücüler, DC-DC konvertörleri ve motor kontrol devreleri gibi endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 83W maksimum güç tüketimi kapasitesi vardır. Not For New Designs statüsünde olması nedeniyle yeni tasarımlarda alternatif bileşenlerin değerlendirilmesi önerilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 263 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 2A, 10V
Supplier Device Package TO-262
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok