Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
AOW29S50
MOSFET N-CH 500V 29A TO262
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AOW29S50
AOW29S50 Hakkında
AOW29S50, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen 500V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-262 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 29A sürekli dren akımı kapasitesi ve 150mOhm'luk maksimum Rds(On) değeri ile düşük kayıpla güç yönetimini sağlar. Gate charge karakteristiği 26.6nC olup, hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, 357W maksimum güç tüketimine sahiptir. Sınai güç kaynakları, DC-DC konvertörleri, motor kontrolü ve enerji dönüştürme devrelerinde uygulanır. Part Status olarak yeni tasarımlarda önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1312 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 357W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 14.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok