Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOW11S65

MOSFET N-CH 650V 11A TO262

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
AOW11S65

AOW11S65 Hakkında

AOW11S65, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 11A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate voltajında maksimum 399mOhm on-dirençi ile düşük geçiş kaybı sağlar. Gate charge değeri 13.2 nC olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışır. İçin kapasitanı 100V'de 646 pF'dir. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye yerleştirilir. Yüksek voltaj güç dönüştürücüleri, kontrol devreleri ve industrial uygulamalarda kullanıma uygundur. Maksimum 198W güç harcaması tolerans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 646 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 198W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 399mOhm @ 5.5A, 10V
Supplier Device Package TO-262
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok