Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOU7S65

MOSFET N-CH 600V 7A TO251-3

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
AOU7S

AOU7S65 Hakkında

AOU7S65, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 7A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-251-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürme devreleri, AC-DC konvertörleri, motor kontrolü ve endüstriyel sürücü sistemlerinde kullanılır. 10V gate drive voltajında 650mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen ve 89W güç disipasyonuna kapasite olan bu transistör, düşük gate charge (9.2nC) ile hızlı komutasyon gerektiren uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 434 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package TO-251-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok