Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOU4S60

MOSFET N-CH 600V 4A TO251-3

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
AOU4S60

AOU4S60 Hakkında

AOU4S60, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 900mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 263 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 2A, 10V
Supplier Device Package TO-251-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok