Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOU4N60

MOSFET N-CH 600V 4A TO251-3

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
AOU4N60

AOU4N60 Hakkında

AOU4N60, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen 600V dayanıklı N-Channel MOSFET transistördür. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 4A sürekli dren akımı ve 2.3Ω maksimum kapalı durum direnci (Rds On) özellikleriyle tasarlanmıştır. 10V kapı sürme voltajı ile çalışan AOU4N60, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılmaktadır. Bileşen -50°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 104W güç dağıtma kapasitesine sahiptir. 14.5nC kapı yükü (gate charge) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır. Bununla birlikte, bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -50°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package TO-251-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok