Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOU3N60_001

MOSFET N-CH 600V 2.5A TO251-3

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
AOU3N60

AOU3N60_001 Hakkında

AOU3N60_001, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltaj kapasitesi ve 2.5A sürekli dren akımı ile çalışabilir. TO-251-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 56.8W güç dağıtabilir. Rds(on) değeri 10V gate voltajında 1.25A akımda 3.5Ohm olup, 4.5V gate-source eşik voltajı ile çalışır. -50°C ile 150°C arasında sıcaklık aralığında kullanılabilir. Güç kaynakları, AC-DC dönüştürücüler, motor kontrol uygulamaları ve yüksek voltaj anahtar devreleri gibi alanlarda tercih edilir. Part Status obsolete olması nedeniyle yeni tasarımlarda alternatif bileşen seçilmesi önerilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 370 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -50°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 1.25A, 10V
Supplier Device Package TO-251-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok