Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
AOU3N60
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO251-3
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AOU3N60
AOU3N60 Hakkında
AOU3N60, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 2.5A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi sistemlerinde ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 3.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -50°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 56.8W güç tüketebilir. Gate charge değeri 12nC olup hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Industrial ve consumer uygulamalarında voltaj regülasyonu ve motor kontrol gibi alanlarda yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 370 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 56.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 1.25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok