Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
AOU3N50
MOSFET N-CH 500V 2.8A TO251-3
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AOU3N50
AOU3N50 Hakkında
AOU3N50, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V Drain-Source gerilim kapasitesi ve 2.8A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. TO-251-3 paketinde sunulan bu bileşen, 3Ω maksimum On-Resistance değerine sahiptir. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-50°C ~ 150°C) stabil performans gösterir. Yüksek gerilim uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi sistemlerinde ve endüstriyel otomasyon cihazlarında kullanılır. 57W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi bulunur. ±30V Vgs aralığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 331 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok