Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOU2N60A

MOSFET N-CH 600V 2A TO251-3

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
AOU2N60A

AOU2N60A Hakkında

AOU2N60A, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim dayanımı ve 2A sürekli drain akımı ile çalışabilen bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi görmektedir. TO-251-3 (IPak) paket tipi sayesinde kompakt tasarımlara entegre edilebilir. Gate charge'ı 11 nC ve RDS(on) değeri 4.7Ω @ 1A, 10V olan bu transistör, güç yönetimi, invertör devreleri, AC-DC konverterler ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. -50°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen komponen, through-hole montaj için uygun olup maksimum 57W güç dağıtabilir. ±30V gate-source gerilim sınırlandırmasına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 295 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -50°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package TO-251-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok