Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
AOU2N60_001
MOSFET N-CH 600V 2A TO251-3
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AOU2N60
AOU2N60_001 Hakkında
AOU2N60_001, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 2A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 paketinde sağlanan bu komponent, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve güç kaynağı tasarımlarında tercih edilir. 4.4Ω maksimum on-state direnci (Rds On) ile düşük ısı kaybı sağlar. -50°C ile 150°C arasındaki geniş işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Gate threshold gerilimi 4.5V'tur ve ±30V gate gerilimi toleransına sahiptir. Through-hole montajı ile endüstriyel ve ticari uygulamalarda kolayca entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 325 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 56.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok