Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOU2N60

MOSFET N-CH 600V 2A TO251-3

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
AOU2N60

AOU2N60 Hakkında

AOU2N60, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, sürekli 2A drain akımı ve 4.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürücü voltajında çalışan bileşen, güç kaynağı devreleri, DC-DC dönüştürücüleri ve anahtarlamalı güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. ±30V maksimum gate voltajı ve geniş -50°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığı ile çeşitli endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 325 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -50°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package TO-251-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok