Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
AOU1N60
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251-3
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AOU1N60
AOU1N60 Hakkında
AOU1N60, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 1.3A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-251-3 paketinde sunulan bu bileşen, 9Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate eşik gerilimi 4.5V olup ±30V gate-source gerilim aralığında çalışabilir. -50°C ile +150°C sıcaklık aralığında kullanılabilen bu MOSFET, güç dönüştürücüleri, anahtarlama devreleri, motor kontrol uygulamaları ve yüksek gerilim power supply tasarımlarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 45W maksimum güç dissipasyonu ile orta güç uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 160 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9Ohm @ 650mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok