Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOTF8N60

MOSFET N-CH 600V 8A TO220-3F

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
AOTF8N60

AOTF8N60 Hakkında

AOTF8N60, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3F paketinde sunulan bu bileşen, 8A sürekli drenaj akımı kapasitesine ve 900mΩ (10V, 4A'de) maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 35nC gate charge ile düşük sürüş gereksinimi olan uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında ve 50W güç disipasyonu kapasitesiyle, güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol ve endüstriyel sürücü tasarımlarında kullanılır. ±30V maksimum gate-source gerilimi ile toleranslı bir tasarım sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package TO-220F
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok