Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOTF10N65

MOSFET N-CH 650V 10A TO220-3F

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
AOTF10N65

AOTF10N65 Hakkında

AOTF10N65, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source voltaj ve 10A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1Ω maksimum on-resistance (Rds On) değeri ile verimli şalışma sağlar. Gate threshold voltajı 4.5V olup, ±30V maksimum gate-source voltajında çalışabilir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, DC-DC konverterler, motor sürücüler ve endüstriyel uygulamalarda anahtarlama elemanı olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 50W güç tüketebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1645 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-220F
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok