Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
AOT8N80L_001
MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220-3
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AOT8N80L
AOT8N80L_001 Hakkında
AOT8N80L_001, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilimi ve 7.4A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, invertörler ve yüksek gerilim dönüştürücülerde kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde 1.63Ω maksimum Rds(on) değeri ile verimli işletme sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 245W güç tüketebilir. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan yerleştirilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1650 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 245W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.63Ohm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok