Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOT8N80L

MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
AOT8N80L

AOT8N80L Hakkında

AOT8N80L, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 800V drain-source geriliminde 7.4A sürekli akım kapasitesine sahip olup, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. 1.63Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaybına sahip tasarımı, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, 245W'a kadar güç tüketebilir. Gate threshold gerilimi 4.5V olup, 10V drive voltajında en iyi performansını gösterir. Yüksek gerilim uygulamaları, DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve güç kaynağı tasarımlarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1650 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 245W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.63Ohm @ 4A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok