Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
AOT8N65_001
MOSFET N-CH 650V 8A TO220-3
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AOT8N65
AOT8N65_001 Hakkında
Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen AOT8N65_001, 650V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan N-Channel MOSFET transistördür. 8A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç dönüştürme, inverter, motor kontrol ve switch mode power supply (SMPS) uygulamalarında tercih edilir. TO-220-3 paket tipi ile montajı kolaydır. 1.15Ω maksimum on-state direnci (10V gate voltajında 4A'de) ile verimli iletim özellikleri sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 28nC gate charge ve 1400pF giriş kapasitansı hızlı anahtarlama işlemleri için uygun özelliktedir. Maksimum 208W güç dağılım kapasitesi bulunmaktadır. Dijital kontrol sinyalleri ile kolayca kontrollenebilen ±30V gate voltajı desteği vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.15Ohm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok