Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
AOT8N65
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AOT8N65
AOT8N65 Hakkında
AOT8N65, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'dir. 650V Drain-Source gerilimi ve 8A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.15Ohm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. TO-220-3 paket ile monte edilir ve -55°C ile 150°C arasında çalışır. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve enerji dönüşüm sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 208W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile orta ve yüksek güç uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.15Ohm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok