Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOT7S65L

MOSFET N-CH 650V 7A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
AOT7S65L

AOT7S65L Hakkında

AOT7S65L, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 7A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, 104W maksimum güç tüketebilir. TO-220-3 paketinde sunulan AOT7S65L, -55°C ile 150°C arasında çalışmaya uygundur. 10V gate geriliminde 650mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve AC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 9.2nC gate charge ve 434pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. Ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 434 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok