Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOT66613L

MOSFET N-CH 60V 44.5A/120A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
AOT66613L

AOT66613L Hakkında

AOT66613L, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ve 44.5A sürekli drenaj akımı (Ta) ile belirtilmiştir. TO-220 paketinde sunulan bu komponentin maksimum RDS(on) değeri 2.5mΩ'dur (10V Vgs'de, 20A Id'de). Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetim devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 110nC gate charge ve düşük kapasitans karakteristikleri, hızlı anahtarlama gereksinimlerinde tercih edilmesini sağlar. Through-hole montaj tipi ile PCB tasarımında standart kullanım imkanı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 44.5A (Ta), 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5300 pF @ 30 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 8.3W (Ta), 260W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok