Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOT4S60L

MOSFET N-CH 600V 4A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
AOT4S60L

AOT4S60L Hakkında

AOT4S60L, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 4A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor sürücüleri, invertör devreleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen AOT4S60L, 900mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Gate charge değeri 6nC ve input capacitance 263pF olup, hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundir. 10V gate drive voltajında optimize edilmiş bu transistör, endüstriyel ve tüketici seviyesi güç elektronik uygulamalarında tercih edilen bir çözümdür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 263 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 2A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok