Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
AOT412
MOSFET N-CH 100V 8.2A/60A TO220
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AOT412
AOT412 Hakkında
AOT412, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 8.2A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve gerilim regülatörlerinde kullanılır. 15.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.2A (Ta), 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3220 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 2.6W (Ta), 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok