Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AOT2N60

MOSFET N-CH 600V 2A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
AOT2N60

AOT2N60 Hakkında

AOT2N60, Alpha and Omega Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim (Vdss) kapasitesine sahip olup, 25°C'de 2A sürekli drain akımı sağlayabilir. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 4.4Ω maksimum on-direnç (Rds On) değeri ile güç uygulamalarında verimli anahtarlama gerçekleştirir. 74W maksimum güç dağılımı kapasitesi bulunmaktadır. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve yüksek gerilim anahtar uygulamalarında tercih edilir. ±30V gate gerilimi aralığında çalışır ve 4.5V kapı eşik geriliminde devreye girer.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 325 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok